Cos'è unChip LED? Allora quali sono le sue caratteristiche?Produzione di chip LEDè principalmente quello di produrre elettrodi di contatto a basso ohm efficaci e affidabili, soddisfare la caduta di tensione relativamente piccola tra i materiali contattabili, fornire il cuscinetto di pressione per il filo di saldatura e, allo stesso tempo, quanta più luce possibile. Il processo del film di transizione utilizza generalmente il metodo di evaporazione sotto vuoto. Sotto alto vuoto 4Pa, i materiali vengono fusi mediante riscaldamento a resistenza o riscaldamento a bombardamento con fascio di elettroni e BZX79C18 viene trasformato in vapore metallico per depositarsi sulla superficie dei materiali semiconduttori a bassa pressione.

I metalli di contatto di tipo P comunemente usati includono AuBe, AuZn e altre leghe, mentre i metalli di contatto sul lato N sono solitamente leghe AuGeNi. Lo strato di lega formato dopo il rivestimento deve inoltre esporre il più possibile l'area luminosa attraverso la fotolitografia, in modo che lo strato di lega rimanente possa soddisfare i requisiti di un elettrodo di contatto a basso ohm efficace e affidabile e di un cuscinetto della linea di saldatura. Una volta completato il processo di fotolitografia, il processo di lega dovrà essere eseguito sotto la protezione di H2 o N2. Il tempo e la temperatura della lega sono solitamente determinati in base alle caratteristiche dei materiali semiconduttori e alla forma del forno della lega. Naturalmente, se il processo dell'elettrodo a chip come quello blu-verde è più complesso, è necessario aggiungere il processo di crescita passiva della pellicola e di attacco al plasma.

Nel processo di produzione dei chip LED, quali processi hanno un impatto importante sulle prestazioni fotoelettriche?

In generale, dopo il completamento della produzione epitassiale del LED, le sue principali prestazioni elettriche sono state finalizzate. La produzione del chip non modificherà la sua natura produttiva principale, ma condizioni inadeguate nel processo di rivestimento e lega causeranno una scarsa qualità di alcuni parametri elettrici. Ad esempio, una temperatura di lega bassa o elevata causerà uno scarso contatto ohmico, che è la ragione principale dell'elevata caduta di tensione diretta VF nella produzione di chip. Dopo il taglio, se viene eseguito un processo di incisione sul bordo del truciolo, sarà utile migliorare la fuoriuscita inversa del truciolo. Questo perché dopo il taglio con una mola diamantata, sul bordo del truciolo rimarrà molta polvere di detriti. Se queste particelle si attaccano alla giunzione PN del chip LED, causeranno dispersioni elettriche o addirittura guasti. Inoltre, se il fotoresist sulla superficie del chip non viene rimosso in modo pulito, ciò causerà difficoltà nell'incollaggio del filo anteriore e nella falsa saldatura. Se è la parte posteriore, causerà anche un'elevata caduta di pressione. Nel processo di produzione dei trucioli, l'intensità della luce può essere migliorata mediante irruvidimento della superficie e taglio nella struttura trapezoidale invertita.

Perché i chip LED sono divisi in diverse dimensioni? Quali sono gli effetti delle dimensioni suLED fotoelettricoprestazione?

Le dimensioni del chip LED possono essere suddivise in chip di piccola potenza, chip di media potenza e chip di alta potenza in base alla potenza. In base alle esigenze del cliente, può essere suddiviso in livello a tubo singolo, livello digitale, livello a reticolo, illuminazione decorativa e altre categorie. La dimensione specifica del chip dipende dall'effettivo livello di produzione dei diversi produttori di chip e non esiste alcun requisito specifico. Finché il processo è qualificato, il chip può migliorare la resa dell'unità e ridurre i costi, e le prestazioni fotoelettriche non cambieranno sostanzialmente. La corrente utilizzata dal chip è in realtà correlata alla densità di corrente che scorre attraverso il chip. La corrente utilizzata dal chip è piccola e la corrente utilizzata dal chip è elevata. La loro densità di corrente unitaria è sostanzialmente la stessa. Considerando che la dissipazione del calore è il problema principale in condizioni di corrente elevata, la sua efficienza luminosa è inferiore a quella con corrente bassa. D'altra parte, all'aumentare dell'area, la resistenza di volume del chip diminuirà, quindi la tensione di conduzione diretta diminuirà.

A quali dimensioni si riferisce generalmente il chip LED ad alta potenza? Perché?

I chip LED ad alta potenza utilizzati per la luce bianca possono generalmente essere visti sul mercato a circa 40 mil, e i cosiddetti chip ad alta potenza generalmente significano che la potenza elettrica è superiore a 1 W. Poiché l'efficienza quantistica è generalmente inferiore al 20%, la maggior parte dell'energia elettrica verrà convertita in energia termica, quindi la dissipazione del calore dei chip ad alta potenza è molto importante e richiede un'area del chip più ampia.

Quali sono i diversi requisiti del processo dei chip e delle apparecchiature di lavorazione per la produzione di materiali epitassiali GaN rispetto a GaP, GaAs e InGaAlP? Perché?

I substrati dei normali chip LED rossi e gialli e dei chip luminosi quaternari rossi e gialli sono costituiti da GaP, GaAs e altri materiali semiconduttori composti, che generalmente possono essere trasformati in substrati di tipo N. Il processo a umido viene utilizzato per la fotolitografia e successivamente la lama della mola diamantata viene utilizzata per il taglio in trucioli. Il chip blu-verde del materiale GaN è un substrato di zaffiro. Poiché il substrato in zaffiro è isolato, non può essere utilizzato come polo del LED. Gli elettrodi P/N devono essere realizzati sulla superficie epitassiale contemporaneamente attraverso un processo di attacco a secco e anche attraverso alcuni processi di passivazione. Poiché gli zaffiri sono molto duri, è difficile tagliare i trucioli con le mole diamantate. Il suo processo è generalmente più complicato di quello dei LED GaP e GaAs.

Qual è la struttura e le caratteristiche del chip “elettrodo trasparente”?

Il cosiddetto elettrodo trasparente dovrebbe essere in grado di condurre elettricità e luce. Questo materiale è ora ampiamente utilizzato nel processo di produzione di cristalli liquidi. Il suo nome è ossido di indio-stagno (ITO), ma non può essere utilizzato come tampone di saldatura. Durante la fabbricazione, l'elettrodo ohmico verrà realizzato sulla superficie del chip, quindi verrà rivestito uno strato di ITO sulla superficie, quindi verrà rivestito uno strato di tampone di saldatura sulla superficie di ITO. In questo modo, la corrente proveniente dal conduttore viene distribuita uniformemente su ciascun elettrodo di contatto ohmico attraverso lo strato ITO. Allo stesso tempo, poiché l'indice di rifrazione ITO è compreso tra l'aria e l'indice di rifrazione del materiale epitassiale, è possibile aumentare l'angolo di luce e anche il flusso luminoso.

Qual è la corrente principale della tecnologia dei chip per l'illuminazione a semiconduttori?

Con lo sviluppo della tecnologia LED a semiconduttore, le sue applicazioni nel campo dell'illuminazione sono sempre più numerose, in particolare con l'emergere del LED bianco, che è diventato il fulcro dell'illuminazione a semiconduttore. Tuttavia, la tecnologia chiave del chip e del packaging deve ancora essere migliorata e il chip dovrebbe essere sviluppato verso alta potenza, alta efficienza luminosa e bassa resistenza termica. Aumentare la potenza significa aumentare la corrente utilizzata dal chip. Il modo più diretto è aumentare la dimensione del chip. Al giorno d'oggi, i chip ad alta potenza misurano tutti 1 mm × 1 mm e la corrente è di 350 mA. A causa dell'aumento della corrente di utilizzo, il problema della dissipazione del calore è diventato un problema importante. Ora questo problema è stato sostanzialmente risolto con il chip flip. Con lo sviluppo della tecnologia LED, la sua applicazione nel campo dell’illuminazione si troverà ad affrontare un’opportunità e una sfida senza precedenti.

Cos'è il FlipChip? Qual è la sua struttura? Quali sono i suoi vantaggi?

Il LED blu utilizza solitamente il substrato Al2O3. Il substrato Al2O3 ha elevata durezza, bassa conduttività termica e conduttività. Se viene utilizzata la struttura positiva, da un lato causerà problemi antistatici, dall'altro anche la dissipazione del calore diventerà un grosso problema in condizioni di corrente elevata. Allo stesso tempo, poiché l'elettrodo anteriore è rivolto verso l'alto, parte della luce verrà bloccata e l'efficienza luminosa sarà ridotta. Il LED blu ad alta potenza può ottenere un'emissione luminosa più efficace rispetto alla tecnologia di imballaggio tradizionale attraverso la tecnologia chip flip chip.

L'attuale approccio tradizionale della struttura flip è: in primo luogo, preparare un chip LED blu di grandi dimensioni con un elettrodo di saldatura eutettico adatto, allo stesso tempo, preparare un substrato di silicio leggermente più grande del chip LED blu e produrre uno strato conduttivo d'oro e un filo conduttore strato (giunto di saldatura a sfera in filo d'oro ad ultrasuoni) per la saldatura eutettica. Quindi, il chip LED blu ad alta potenza e il substrato di silicio vengono saldati insieme utilizzando apparecchiature di saldatura eutettica.

Questa struttura è caratterizzata dal fatto che lo strato epitassiale entra direttamente in contatto con il substrato di silicio e la resistenza termica del substrato di silicio è di gran lunga inferiore a quella del substrato di zaffiro, quindi il problema della dissipazione del calore è ben risolto. Poiché il substrato dello zaffiro è rivolto verso l'alto dopo l'inversione, diventa la superficie che emette luce. Lo zaffiro è trasparente, quindi anche il problema dell'emissione di luce è risolto. Quanto sopra rappresenta la conoscenza rilevante della tecnologia LED. Credo che con lo sviluppo della scienza e della tecnologia, le lampade a LED in futuro diventeranno sempre più efficienti e la loro durata sarà notevolmente migliorata, offrendoci maggiore comodità.